​英特尔CEO：美日荷联合限制下，中国芯片制造技术将落后10年！

英特尔CEO：美日荷联合限制下，中国芯片制造技术将落后10年！

1 月 19 日消息，据外媒报道，在 2024 年度 " 达沃斯世界经济论坛 " 上，英特尔 CEO 帕特 · 基辛格 ( Pat Gelsinger ) 表示，在美日荷的联合限制之下，中国与全球顶尖晶圆厂的技术差距为 10 年！

在达沃斯论坛上，帕特 · 基辛格首先讨论了全球供应链的脆弱性，这一问题在 COVID-19 大流行期间显露无遗。他指出，数十年来的产业政策使芯片制造业集中在亚洲国家，而美国目前正试图通过《芯片与科学法案》扭转这一趋势。这项立法旨在提高美国的技术自给自足能力。

帕特 · 基辛格称，英特尔最先进的 Intel 18A 制程将会很快进入制造，未来更为先进的 1.5nm 晶圆厂将会在德国马德堡上线，这不仅是德国最先进的制造业，也将是世界上最先进的制造业。

在谈到中国在半导体制造领域的追赶时，帕特 · 基辛格表示，中国的半导体制造业与世界顶级晶圆厂的差距约为 10 年，而美日荷对于半导体设备的限制更是阻碍了中国半导体制造业的追赶。

" 最近我们看到了美国的政策，荷兰的政策，日本的政策等等，它们在 10 到 7nm 范围内设置了一个底线，而我们正在竞相突破 2nm，然后是 1nm 以下，你知道我们看不到尽头。" 帕特 · 基辛格说道。

中国现有的工具目前只能生产 14nm 和 7nm 芯片。而中国台湾的台积电、韩国的三星和美国的英特尔等公司正在准备在未来几年内采用更先进的工艺生产 3nm、2nm 甚至更精密的半导体。预计台积电的 2 纳米芯片将应用于 2025 年上市的 iPhone 17。

帕特 · 基辛格指出：" 虽然有这些限制政策存在，但是中国并不是不会继续创新。但这是一个高度互联的行业，蔡司镜头、ASML 的光刻机、日本的化学品和电阻技术、英特尔的大规模制造技术，所有这些加在一起，我认为这是一个 10 年的差距，而且我认为根据今天实施的出口政策，这将是一个可持续的 10 年差距，我确实相信这预示着在这种环境下，各国为出口和竞争力制定的政策很好，你知道美国正在努力确保情况确实如此。"

去年，台积电创始人张忠谋也曾表示，美国的制裁可能会让台积电暂时受益，但对此类措施的长期效力表示怀疑。他预计，制裁将使中国在芯片制造技术上落后数年。不过，他也指出，像美国这样的国家也需要大量时间来发展自己的芯片制造能力。

美国官员乐观地认为，美国可以在十年内开始生产和封装最先进的半导体。相比之下，英伟达（NVIDIA） 的首席执行官黄仁勋则认为这一目标可能需要 10 年或 20 年的时间才能完成。

值得注意的是，英特尔准备在 2 月 21 日在美国加利福尼亚州的圣何塞举办其代工业务盛会 "IFS Direct Connect"，届时该公司将展示半导体的未来。

据介绍，此次活动将由英特尔首席执行官帕特 · 基辛格 ( Pat Gelsinger ) 等高管以及英特尔代工服务（IFS）高级副总裁兼总经理斯图尔特 · 潘 ( Stuart Pann ) 等高管参加，此次活动将重点讨论代工厂未来的战略。届时，英特尔可能将会公布关其半导体工艺发展的最新信息，例如今年即将量产的 Intel 20A 和 Intel 18A。此外，英特尔预计还将分享有关该公司未来的埃米级制程工艺的一些细节。

除了介绍半导体制程工艺的进展之外，英特尔还计划披露其 " 全球首个 AI 系统代工厂 " 的信息，据称这将引领半导体的未来之路。虽然我们不知道人工智能系统代工厂指的是什么，但它很可能是一个深受人工智能能力影响的工厂系统。

英特尔首席执行官帕特 · 基辛格本人的演讲主题为：" 硅经济和人工智能系统铸造厂：英特尔如何处于下一个拐点的中心 "。